功率器件動(dòng)態(tài)特性智能測(cè)試系統(tǒng)AVATAR-D
AVATAR-D系列產(chǎn)品是一款全自動(dòng)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試設(shè)備。主要用于IGBT/DIODE /MOSFET 等器件的雙脈沖(包含開(kāi)通特性、關(guān)斷特性測(cè)試、反向恢復(fù)特性測(cè)試)、短路安全工作區(qū)和反偏安全工作區(qū)測(cè)試,測(cè)試方案完全符合IEC60747-9國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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2kV/3000A雙脈沖電壓電流范圍
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15kA短路電流最大
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-55℃~200℃溫控范圍
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<3μs過(guò)流保護(hù)時(shí)間

產(chǎn)品測(cè)試能力與主要優(yōu)勢(shì)
雙脈沖電壓電流范圍為2kV/3000A,短路電流最大到15kA;
支持IGBT/SiC MOSFET/Diode等器件,DBC級(jí)和模塊級(jí);
支持半自動(dòng)和全自動(dòng)測(cè)試,適合量產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試;
支持各種IGBT和SiC模塊封裝和拓?fù)漕?lèi)型產(chǎn)品,如單管、半橋、全橋、三相橋、三電平、IPM等,可支持4組半橋拓?fù)鋯卧袚Q測(cè)試;
16路4線制SMU,16路I/O,128路繼電器驅(qū)動(dòng),快速拓展不同功能;
過(guò)流保護(hù)時(shí)間<3μs;
極低的主回路雜散電感,最?。?3nH(不包含器件雜感);
支持模塊高/低溫測(cè)試,溫控范圍:-55℃~200℃;
DBC測(cè)試:支持抽真空充高壓氮?dú)?,防氧化、防打火?nbsp;
支持Vth/ICES/開(kāi)爾文接觸測(cè)試;
八個(gè)測(cè)量通道,單次測(cè)量可獲得IGBT及續(xù)流二極管的電流電壓波形;
高UPH。

AVATAR-D(半自動(dòng))

AVATAR-D(全自動(dòng))